内存时序怎么看（内存时序）

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1、内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。

2、一般数字"A-B-C-D"分别对应的参数是"CL-tRCD-tRP-tRAS"，它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低"2-2-2-5"这种序列时序的内存模组确实能够带来比"3-4-4-8"更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

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