三星GalaxyS23的Snapdragon8Gen2芯片专注于电池效率
据业内人士报道,高通将优先考虑功耗效率和持续性能,其新的Snapdragon8芯片组命名法第二版应该出现在三星GalaxyS23系列中。
目前三星GalaxyS22系列的骁龙8Gen1及其升级的骁龙8+Gen1是非常强大的处理器,但它们也是非常耗电的发热机器,因此据传高通将致力于改进他们的电池消耗。
为此,据称它重新组建了那些在其最成功的功率/性能比芯片组之一-Snapdragon835上工作的团队,该芯片组以相对适中的2.3GHz峰值时钟频率运行,并且是当时的功耗冠军。
不用说,骁龙835是基于10nm工艺构建的,对于今天的4nm和即将成为3nm生产节点标准来说,这似乎相当粗糙,因此高通有机会真正解决性能问题。
我们可以预期Snapdragon8Gen2将在台积电代工厂的第二代4nm工艺上构建,这将为高通提供很大的余地来微调其功耗,同时保持性能不变。
代号为Kailua的Snapdragon8Gen2芯片组的型号为SM8550,有关其组成的最新传闻描绘了一幅相当不寻常的画面。据报道,它将搭载一个快速的Cortex-X3内核,与Snapdragon8Gen1型号中的X1相比,性能提升25%,以及两个Cortex-A715、两个Cortex-A710和三个Cortex-A510。
这样,Qualcomm可以根据手头的任务打开和关闭具有更多不同功耗/性能比率包络的内核,从而始终确保最佳电池消耗。事实上,早在5月,一位泄密者就表示Snapdragon8Gen2效率测试进展顺利,在这方面它的表现优于其直接前辈。
例如,GalaxyZFlip4中强大的Snapdragon8+Gen1因薄型手机缺乏冷却空间而在压力下节流,以至于我们的电池基准测试表明它在3D游戏期间的功耗方面比ZFlip3中的Snapdragon888。
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这可能是Snapdragon8Gen2计划在GalaxyS23系列中发布的历史,因此我们迫不及待地想在高通公司11月15日至11月17日的活动中听到更多有关该处理器的信息。
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