技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线
摘要 在半导体制程技术的前沿，英特尔正稳步推进其“四年五个制程节点”计划，加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A。今天，我们将介绍...
在半导体制程技术的前沿，英特尔正稳步推进其“四年五个制程节点”计划，加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A。
今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A。
RibbonFET：栅极“环抱”晶体管
通过RibbonFET晶体管，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构。在晶体管中，栅极扮演着关键的开关角色，控制着电流的流动。RibbonFET使得栅极能够全面环绕带状的晶体管沟道，这一创新带来了三大优势：
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