第三代半导体掀起全球扩产潮
摘要 【第三代半导体掀起全球扩产潮】如果说PC、智能手机的普及是硅半导体的革命，目前在全球掀起扩产潮的第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（G...
【第三代半导体掀起全球扩产潮】如果说PC、智能手机的普及是硅半导体的革命，目前在全球掀起扩产潮的第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）正在寻找下一个落地应用的风口。第三代半导体主要指具有宽带隙特性（注：带隙主要指是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量，大于2.5eV为宽带隙，硅的带隙约为1.1 eV，锗为0.66eV）的半导体材料，因此又称宽禁带半导体，主要包括碳化硅（SiC，带隙为3.2eV）、氮化镓（GaN,，带隙为3.4eV）。
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