中国科学家发明新型“热发射极”晶体管 有望提升集成电路功能
摘要 近日，中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料，发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管。这种晶体管...
近日，中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料，发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管。这种晶体管既可以降低功耗，又具有“负电阻”功能。该技术的应用有望设计出更高集成度、更丰富功能的集成电路。据悉，相关研究成果已于8月15日在国际学术期刊《自然》上发布。
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