SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本
摘要 【SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本】SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM,就像其竞争对手三星一样。 SK海力士研究员指出...
【SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本】SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM,就像其竞争对手三星一样。 SK海力士研究员指出,自1c DRAM商业化以来,极紫外 (EUV) 工艺的成本一直在快速上升,现在是时候质疑使用EUV制造DRAM是否有利可图了。
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