三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求

摘要 【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,...

【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去两年,三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第三季NAND Flash或微幅供过于求,而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时候联系我们修改或删除,多谢。