三星第9代V

摘要 快科技7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另...

快科技7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减,还能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的这一决策,预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。

值得注意的是,钼材料的引入并非易事,它要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600℃以转化为气态,这与六氟化钨(WF6)的处理方式截然不同。

为此,三星已积极行动,从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机,并规划在未来一年内再增购20台,以加速其钼基NAND的生产布局。

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