三星公开下一代芯片的背面供电技术加入与英特尔的竞争
摘要 三星电子在举行的VLSI研讨会上发表文章,披露了新的BSPDN(背面供电网络)方法的指标。对于那些现在一无所知的人来说,制定电力传输网络的目...
三星电子在举行的VLSI研讨会上发表文章,披露了新的BSPDN(背面供电网络)方法的指标。对于那些现在一无所知的人来说,制定电力传输网络的目的是最有效地为芯片芯片提供电压。正式而言,制造商已采用通过晶圆正面的传输方式,虽然这种方法可以完成工作,但它会带来功率密度下降的代价,最终导致性能下降。
新的BSPDN方法尚未被代工厂采用,三星是第一个披露该创新方法结果的公司。据韩国巨头称,与传统方法相比,他们减少了14.8%的面积。面积的减少使公司有更多的空间在芯片中添加更多“好东西”,例如晶体管,从而整体提高性能。
三星还报告称,电线长度减少了9.2%,虽然我们不会深入探讨其物理原理,但总而言之,长度减少会导致电阻降低,允许更大的电流流过,从而将沿线的功率损耗降至最低。具有改进的电力传输。
三星并不是第一家公开“BSPDN”方法的公司,早在6月份,英特尔也曾举办过该方法的发布会,并将其命名为“PowerVia”。TeamBlue宣布计划将新方法集成到其Intel20A节点中,芯片利用率达到90%。该公司表示,“PowerVia”将解决硅架构中互连的瓶颈问题,通过晶圆背面提供电力,从而实现连续传输。英特尔预计将在即将于2024年推出的ArrowLakeCPU中使用这种新方法。
三星尚未透露新的电力传输方法是否会集成到未来的工艺中。然而,根据该公司目前披露的信息,我们认为,在英特尔实施后不久,下一代工艺可能会采用该技术。
郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时候联系我们修改或删除,多谢。